芯导科技
本次展会，芯导科技带来了多种GaN和SiC功率器件。
SiC方面，公司展示了650V/1200V/1700V SiC MOSFET和SiC SBD。
GaN方面，其展出了40V~650V GaN HEMT和GaN Power IC。
芯导科技专注于功率IC（锂电池充电管理 IC、OVP过压保护 IC、音频功率放大器、GaN 驱动与控制IC、DC/DC电源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等）的开发及应用。
国星光电
国星光电在此次活动中携带GaN和SiC功率器件亮相。GaN方面，国星光电展示了GaN SIP 合封器件、GaN恒压电源、GaN场效应晶体管以及33W快充墙插。
国星光电推出的GaN驱动电源的开关频率高、体积缩小了1/3、重量更轻且电源系统结构更加紧凑，功率密度高。其拥有极低的功率损耗，转换效率高。相比于Si基，工作温度更高，恶劣工况环境适应能力得到了提升。该驱动电源可用于LED照明、整屋低压供电、低压电机驱动等应用。
SiC方面，国星光电带来了多样式SiC分立器件和SiC功率模块。
国星光电推出了超薄内绝缘SiC分立器件，该产品采用了自有的专利技术，让产品尺寸降低了30%，性能更稳定。
国星光电还展示了获得车规级认证 SiC-MOSFET和 SiC-SBD，可满足各大主流汽车厂家对高可靠性功率器件的要求。
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