全球化合物半导体代工平台 -- 三安集成于2020年7月3日首次亮相主题为“融合创新智引未来”的慕尼黑上海电子展，三安集成秉承“专注于化合物半导体技术创新”的理念，提供可持续能源高效电源转换、新能源汽车驱动与充电、数据中心与工业电源相关的碳化硅/氮化镓第三代功率半导体器件，以及自动驾驶雷达和面部3D感测所需的关键光技术芯片代工业务。

 

人头攒动的三安集成展台5.2 B246

 

随着汽车电动化、无人驾驶和5G高速网络应用市场的快速发展，对功率半导体器件、激光光源和光探测器件的需求也在日益增长。碳化硅/氮化镓并称第三代半导体双雄，凭借其热导率高、电子饱和速度高、击穿电压高、介电常数低等特点，能更好地适应高频、大功率、耐高温、抗辐照等严苛的使用环境。但目前因为材料制备难度大、成本高使得第三代半导体还处在爆发式增长的前期。

 

三安集成是化合物半导体研发、制造和服务专业平台，通过产业链垂直整合，掌握化合物半导体发展的关键点：设计、材料、制程和检测。从衬底制造，到大规模的碳化硅/氮化镓/砷化镓外延生长MOCVD机台，先进的制程开发和量产能力，在线缺陷检测和性能测试，封装实验室，以及全面的可靠性分析实验室，都是实现大规模、高质量代工的有力保障；同时，为客户提供真正的、高成本效益的 “一站式解决方案”。

 

第三代功率半导体：碳化硅肖特基二极管和氮化镓E-HEMT代工业务

 

在功率半导体展示区展出的650V/1200V碳化硅肖特基势垒二极管，采用混合PiN肖特基二极管（MPS）设计，能提供更好的可靠性和鲁棒性。比肩业界领先水平的“低正向压降”特性，大幅减少导通损耗，帮助实现系统级别的效率提升和功率密度提升，支持高压DC/DC和多种PFC应用场景的稳定运行。同时，三安集成已进行了碳化“硅金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）”的工程样品研制，预计于2020年第四季度，可为客户推出工业级1200V DMOS器件。

 

宽禁带功率半导体的晶圆代工和器件封测

 

650V氮化镓增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）芯片制造的可靠性已全面符合JEDEC标准，采用常关型器件设计，具备低比导通电阻RON ~350mΩ∙mm和优良的品质因数RON·QG~300mΩ·nC。藉由PDK、E-Foundry和MPW服务，可让客户在量产前可充分验证设计。三安集成为客户提供从前期设计支持，到完善的后工序 -- 晶圆减薄、背面金属以及切割和封测。现场展示了一款基于三安集成氮化镓E-HEMT芯片的65W氮化镓快充适配器设计验证样品，体现了三安集成成熟的代工能力。